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PN型測(cè)試儀的設(shè)計(jì)特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)
遷移率測(cè)試儀:準(zhǔn)確的遷移速率數(shù)據(jù)
產(chǎn)品中心/ products
紅外激光少子壽命 指半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子在紅外激光激發(fā)下從產(chǎn)生到復(fù)合的平均存活時(shí)間。 ?測(cè)試方法紅外脈沖激光 激發(fā)半導(dǎo)體材料,通過(guò) 微波光電導(dǎo)衰減法 ( μ-PCD )檢測(cè)電導(dǎo)率變化,從而推算少子壽命。該方法利用紅外激光產(chǎn)生非平衡載流子,微波探測(cè)器檢測(cè)其發(fā)射/反射信號(hào)的指數(shù)衰減規(guī)律,通過(guò)擬合信號(hào)得出壽命值。
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?摻雜濃度?:p型或n型摻雜會(huì)影響多數(shù)載流子濃度,間接影響少子壽命。 ?
?激光功率與波長(zhǎng)?:不同波長(zhǎng)激光激發(fā)效率不同,功率過(guò)高可能破壞樣品,需優(yōu)化參數(shù)。 ?測(cè)試設(shè)備
少子壽命測(cè)試儀 支持4種激光波長(zhǎng)(355nm-1480nm),可測(cè)量20ns至幾十毫秒的壽命范圍,測(cè)試硅晶圓片僅需5分鐘。 ?
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