渦流法金屬薄膜電阻率測(cè)試儀

導(dǎo)電膜，即具有導(dǎo)電性能的薄膜材料，是一種重要的功能性材料，廣泛應(yīng)用于觸摸屏、太陽能電池、柔性電路等領(lǐng)域。

方阻和電阻率，是衡量導(dǎo)電膜導(dǎo)電性能的重要指標(biāo)。
方阻，全稱方塊電阻(Sheet Resistance)，是指一個(gè)正方形薄膜導(dǎo)電材料，其相對(duì)的兩個(gè)邊之間的電阻。

它反映了導(dǎo)電膜材料本身的導(dǎo)電特性，方阻的高低與樣品尺寸無關(guān)，其單位為(Ω/sq）。

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更新時(shí)間：2025-08-02
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方阻和電阻率，是衡量導(dǎo)電膜導(dǎo)電性能的重要指標(biāo)。

方阻，全稱方塊電阻(Sheet Resistance)，是指一個(gè)正方形薄膜導(dǎo)電材料，其相對(duì)的兩個(gè)邊之間的電阻。

它反映了導(dǎo)電膜材料本身的導(dǎo)電特性，方阻的高低與樣品尺寸無關(guān)，其單位為(Ω/sq）。

不同類型的透明導(dǎo)電膜，由于其原材料、組成比例、制備工藝等因素的差異，方阻也呈現(xiàn)出不同的范圍。

-ITO導(dǎo)電膜：ITO(氧化銦錫)是應(yīng)用很多的透明導(dǎo)電材料。

制備在玻璃基底上時(shí)，可低至幾歐姆/方，但基于制備工藝，ITO導(dǎo)電膜很難做到低方阻，一般在幾十歐姆/方到幾百歐姆/方之間。隨著技術(shù)不斷進(jìn)步，一些優(yōu)秀企業(yè)能夠制備出方阻更低的ITO薄膜，可低至十幾歐姆/方。不過，這種低方阻的ITO膜通常會(huì)大幅度損失透光率。目前，很多企業(yè)通過疊加其他高導(dǎo)電性物質(zhì)，以降低ITO薄膜的方阻，但這類導(dǎo)電膜技術(shù)還不太成熟，穩(wěn)定性相對(duì)較差。